2022年5月14日，根据评价委托方提供的评价申请材料，广东国评科技成果评价有限公司组织专家组对成果【宽光谱透明导电氧化物单晶薄膜制备技术、装备及其应用】进行了评价。专家组听取了成果完成单位报告，认真审阅了评价材料，经充分讨论和质询，形成如下评价结论：

1.技术水平评价：

1）【创新性】该项目针对目前半导体光电器件广泛使用的透明导电材料透光率低、透明光谱窄、关键材料和制造装备依赖进口等难题开展了系统研究：①创新发展了以H2O作为反应源的MOCVD生长方法，研制出国际首台低温制备氧化物单晶薄膜的MOCVD量产型装备，实现了透明导电氧化物的高效、大面积、智能化生长；②揭示了宽光谱透明导电单晶薄膜的掺杂调控和光谱拓宽机理，创新发展了将透过光波段拓宽到近/中红外~中/紫外波段的宽光谱透明导电薄膜外延生长技术；③创新发展了有效抑制芯片表面氧化绝缘的透明电极外延生长技术，成功制备出具有极低接触势垒的LED芯片氧化物透明电极，解决了氧化物与半导体接触界面易氧化形成高接触势垒的难题，将LED芯片的工作电压降至理论极限。获授权中国发明专利69件、实用新型专利61件，通过PCT审查专利3件；发表SCI论文71篇，出版英文专著1部；参与制（修）定地方标准5项、团体标准9项。评价为国际首创。

2）【关键度】该科技成果于电子信息材料行业技术关键度评价为核心技术。

3）【先进性】该成果①创新发展的38片2英寸氧化物薄膜MOCVD装备，以H2O替代O2作为反应源，将氧化物单晶薄膜生长温度从700℃降至350℃，反应腔石墨托盘直径为420mm，生长的薄膜厚度炉内均匀性≤±2%，本氧化物MOCVD设备及其性能指标为目前国际首次报道；②创新发展的宽光谱透明导电氧化物单晶薄膜MOCVD外延生长及掺杂调控技术，在保持薄膜电阻率低于4×10-4Ωcm的前提下，将透明电极的透光波段从常规的400nm-1000nm拓宽到300nm-3000nm，特别是UVA光谱(315-400nm)平均透光率从80%提升至94%，近红外光谱(800-2500nm)平均透光率从70%提升至90%，为目前国际报道的最优值。③创新发展的氧化物透明电极芯片工艺技术，将LED芯片的工作电压降至理论极限，大幅度提升LED芯片发光效率，其中，368nm紫外LED开启电压从常规的3.5-3.8V降低至3.40V@20mA；465nm蓝光LED开启电压从常规的3.0-3.2V降低至2.86V@20mA；620nm红光LED开启电压从常规的2.0-2.1V降低至1.99V@20mA；均为目前国际报道的最优值。评价为全面领先行业水平。

4）【成熟度】根据研究与应用证明材料，该成果技术成熟度评价为达到应用推广阶段。

综上，该科技成果技术水平评价为：整体达到国际先进水平，其中部分核心关键技术达到国际领先水平。

2.应用效益评价：

1）【应用效果】该项目完成一条氧化锌透明电极蓝光LED芯片生产线和氧化锌透明电极红光LED中试线建设；主要成果在数百家涉及LED芯片制造、封装、灯具制造、航空航天、半导体装备制造等领域的企事业单位开展了大规模应用，整体应用三年以上，普遍得到应用单位的高满意度反馈。评价为应用效果显著。

2）【应用潜力】该项目涉及氧化锌透明电极蓝光和红光LED芯片、氧化铟锡透明电极紫外LED芯片、空间太阳能电池、光源模组、灯具以及氧化物MOCVD制造装备等多个技术与应用领域，具有广阔且仍在不断扩展的市场前景。评价为应用潜力巨大。

3）【经济效益】该科技成果LED芯片、光源、空间太阳电池片、MOCVD设备已量产，应用于多家企业实现经济效益共计35.14亿元。评价为经济效益显著。

4）【社会效益】该科技成果在提升科技竞争力、促进行业科技发展、节能环保、带动产业经济发展等方面体现出社会效益。评价为社会效益显著。

综上，该科技成果评价为综合应用效益显著 。

现将该科技成果评价结果进行公示。

公示时间：3天

公示期限：2022年5月14日至2022年5月16日