2023年2月16日，根据评价委托方提供的评价申请材料，广东国评科技成果评价有限公司组织专家对成果【 基于异质外延的ε-Ga₂O₃单晶压电薄膜晶圆技术及产业化 】进行了评价，会议过程中专家审阅了委托方提供的材料，听取了成果完成单位的报告并进行了质询，经讨论形成评价结论如下：

1）【创新性】该项目 针对5G移动通信对宽带、低损耗射频滤波器的迫切需求：创新发展了以H2O作为反应源的MOCVD生长方法，研制出国际首台低温制备ε-Ga₂O₃单晶薄膜的MOCVD量产型装备，实现了ε-Ga₂O₃材料高结晶质量、大面积、智能化生长；创新发展了ε-Ga₂O₃单晶薄膜异质外延多步法生长技术、AlN插入层生长技术，实现了4英寸硅、碳化硅、蓝宝石衬底上ε-Ga₂O₃薄膜高质量生长；国际上率先研制出基于ε-Ga₂O₃压电半导体材料的低插损、宽带射频滤波器 。项目申请发明专利9件，其中获授权7件，已转化3件，发表SCI论文6篇。评价为 国际首创 。

2）【关键度】该科技成果于 滤波器电子专用材料制造 行业技术关键度评价为 核心技术 。

3）【先进性】该项目 ① 创新发展的38片2英寸ε-Ga₂O₃薄膜MOCVD装备，以H₂O替代O₂作为反应源，将ε-Ga₂O₃单晶薄膜生长温度从700℃降至350℃，薄膜厚度均匀性偏差≤2%，该设备为国际首创；② 在硅、碳化硅、蓝宝石衬底上制备的ε-Ga₂O₃单晶薄膜尺寸达4英寸，（004）面摇摆曲线半峰宽低至0.15°，d33压电系数高达11pm/V，高于AlN薄膜两倍以上，为国际报道最优值；③ 研制出基于ε-Ga₂O₃的5G移动通讯用声表面波射频滤波器，工作频率范围1-5 GHz，机电耦合系数>5%，为国际首次报道 。评价为 先进性极为凸显 。

4）【成熟度】相关晶圆材料产品已通过第三方检测，成功孵化企业1家，建设了5G移动通讯用滤波器芯片生产线 。评价为 形成产业化应用推广 。

5）【应用潜力】该成果 主要用于5G移动通讯射频前端中的射频滤波器，可广泛应用于5G手机、车载通讯、国防通讯装备等领域，具有广阔的市场前景 。评价为 应用潜力巨大 。

6）【应用效益】该成果 可在打破国外技术垄断、提升民族制造水平与产业竞争力、带动产业经济与技术发展等方面体现出经济与社会效益 。评价为 未来应用效益显著 。

综上，该科技成果综合技术水平评价为 达到国际领先水平 。

现将该科技成果评价结果进行公示。

公示时间：3天

公示期限：2023年2月16日至2023年2月18日